Datasheet Pinagem - Transistor Mosfet Canal-N IRF3710 - Características e Substituição

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Características Básicas do Transistor Mosfet IRF3710

• Tipo: Canal-N
• Tensão de ruptura Dreno-Source (V_DSS): 100 V
• Tensão Gate-Source, máximo (V_GS): ± 20 V
• Resistência máxima estado ativo Dreno-Source (R_DS(on)): 0,023Ω
• Corrente contínua Dreno (I_D): 57 A
• Carga Total da Gate (Q_g): 130 nC
• Dissipação de energia (P_D): 200 W
• Range de temperatura da junção de operação: -55 a +175 °C
• Encapsulamento: TO-220AB
  
  

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Substitutos e Equivalentes para o Transistor IRF3710

O transistor IRF3710 pode ser substituído pelos seguintes transistores: 

IRF8010, IRFB4110, IRFB4115, IRFB4127, IRFB4127PbF, IRFB4310, IRFB4410, IRFB4110G, IRFB4115G, IRFB4310G, IRFB4310Z, IRFB4310ZG, IRFB4321, IRFB4321G, IRFB4410Z, IRFB4410ZG, IRFB4710.

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