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Características Básicas do Transistor Mosfet IRF1407
- Tipo: Canal-N
- Tensão de ruptura Dreno-Source: 75 V
- Tensão Gate-Source, Máximo: ± 20 V
- Resistência Máxima Estado Ativo Dreno-Source: 7,8mΩ
- Corrente Contínua Dreno: 130 A
- Carga Total da Gate: 160 nC
- Dissipação de energia: 330 W
- Range de Temperatura da Junção de Operação: -55 a +175 °C
- Encapsulamento: TO-220AB
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Módulos!Substitutos e Equivalentes para o Transistor IRF1407
O transistor IRF1407 pode ser substituído pelos seguintes transistores:
IRF1607, IRF2907Z, IRF2907ZPbF, IRF3808,
IRFB4110,
IRFB3077,
IRFB3077GPbF,
IRFP3077PbF,
IRFB4310,
IRFB3207, IRFB4110G.
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