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Características Básicas do Transistor Mosfet BS270
- Tipo: Canal-N
- Tensão de ruptura Dreno-Source (VDSS): 60 V
- Tensão Gate-Source, máximo (VGS): ± 20 V
- Resistência máxima estado ativo Dreno-Source (RDS(on)): 2 Ω
- Corrente contínua Dreno (ID): 400 mA
- Dissipação de energia (PD): 625 mW
- Range de temperatura da junção de operação: -55 a +150 °C
- Encapsulamento: TO-92
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Módulos!Substitutos e Equivalentes para o Transistor BS270
O transistor BS270 pode ser substituído pelos seguintes
transistores:
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