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segunda-feira, 10 de dezembro de 2018

Datasheet Pinagem - Transistor Mosfet Canal-N BS270 - Características e Substituição

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Características Básicas do Transistor Mosfet BS270

  • Tipo: Canal-N
  • Tensão de ruptura Dreno-Source (VDSS): 60 V
  • Tensão Gate-Source, máximo (VGS): ± 20 V
  • Resistência máxima estado ativo Dreno-Source (RDS(on)): 2 Ω
  • Corrente contínua Dreno (ID): 400 mA
  • Dissipação de energia (PD): 625 mW
  • Range de temperatura da junção de operação: -55 a +150 °C
  • Encapsulamento: TO-92

Substitutos e Equivalentes para o Transistor BS270

O transistor BS270 pode ser substituído pelos seguintes transistores: 

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Forte abraço.
Deus vos Abençoe!
Shalom!

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