Datasheet Pinagem - Transistor Mosfet Canal-N IRF840A - Características e Substituição

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Características Básicas do Transistor Mosfet IRF840A

• Tipo: Tipo-N
• Tensão de ruptura Dreno-Source: 500 V
• Tensão Gate-Source, máximo: ± 30 V
• Resistência máxima estado ativo Dreno-Source: 0,85 Ω
• Corrente contínua Dreno: 8 A
• Carga Total da Gate: 38 nC
• Dissipação de energia: 125 W
• Range de temperatura da junção de operação: -55 a +150 °C
• Encapsulamento: TO-220AB
  

Datasheet completo: IRF840A

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Substitutos e Equivalentes para o Transistor IRF840A

O transistor IRF840A pode ser substituído pelos seguintes transistores: 

IRFB9N60A, IRFB9N60APbF, IRFB13N50A, IRF840LC, IRFB17N50L, IRFB9N60A.

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