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Características Básicas do Transistor Mosfet IRFZ24N
- Tipo: Tipo-N
- Tensão de ruptura Dreno-Source: 55 V
- Tensão Gate-Source, máximo: ± 20 V
- Resistência máxima estado ativo Dreno-Source: 70 mΩ
- Corrente contínua Dreno: 17 A
- Carga Total da Gate: 20 nC
- Dissipação de energia: 45 W
- Range de temperatura da junção de operação: -55 a +175 °C
-
Encapsulamento: TO-220AB
Confira a lista completa de equivalência e substituição de Transistores
Bipolar, Mosfets, Diodo Zener e Pinagem de Módulos Embarcados! Clique no
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Módulos!Substitutos e Equivalentes para o Transistor IRFZ24N
O transistor IRFZ24N pode ser substituído pelos seguintes transistores:
IRF1010N,
IRF1310N,
IRF1405,
IRF1407,
IRF3205,
IRF3710,
IRFB3077,
IRF8010,
IRFB3077GPBF,
IRFP3077PBF,
IRFB260N,
IRFB3207,
IRFB4110,
IRFB4115,
IRFB4127,
IRFB4127PbF,
IRFB4227,
IRFB4310,
IRFB4332,
IRFB4410,
IRFB4510,
IRFB4510PbF,
IRFB52N15D,
IRF540,
IRF540N,
IRF640,
IRFZ34,
IRFZ34N,
IRFZ44N,
IRFZ46N,
IRFZ48N,
IRFB3006, IRFB3206, IRFB3256, IRFB3306, IRFB3306G, IRFB3307, IRFB3607,
IRFB3806, IRFB38N20D, IRFB41N15D, IRFB4229, IRFB4233, IRFB42N20D, IRFB4321,
IRFB4510, IRFB4610, IRFB4615, IRFB4710, IRFB5615, IRFB59N10D, IRFB61N15D,
IRFI4410ZG, IRFZ24, IRFZ40.
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